【儀表網 研發(fā)快訊】高亮度半導體激光器在激光雷達等領域有著極其重要的應用。傳統(tǒng)的半導體激光器面臨垂直發(fā)散角大、橢圓光束輸出、側向模式多、光束質量差等難題，限制了高亮度半導體激光器的直接應用。
 

　　針對這一難題，長春光機所Bimberg中德綠色光子學研究中心團隊在垂直方向上，采用高亮度垂直寬區(qū)邊發(fā)射(HiBBEE)結構，利用光子帶隙效應替代傳統(tǒng)的全反射原理進行光場限制，提高光模式尺寸，減小半導體激光器垂直方向發(fā)散角；同時在側向方向上，采用非均勻波導抑制側向高階模式，提高半導體激光器側向光束質量，優(yōu)化設計并制備了HiBBEE非均勻波導半導體激光器。達到1.5A電流下垂直和側向發(fā)散角半高全寬仍低至8.6°和5.1°，并保持基模輸出，亮度相比于同類型器件提升1.5倍的良好效果。
 

　　這種高亮度HiBBEE非均勻波導半導體激光器可大幅降低半導體激光器的應用成本，具有廣闊的應用前景。
 

　　相關成果發(fā)表文章2篇：
 

　　“Improvement of beam quality of high-power edge-emitting lasers using inhomogeneous waveguides”為題目發(fā)表于Optics Express，文章鏈接：https://doi.org/10.1364/OE.524474。
 

　　“Brightness improvement of edge-emitting lasers by combining vertical broad-area HiBBEE and laterally inhomogeneous waveguides”為題目發(fā)表于APL Photonics。
 

　　文章第一作者是中德中心博士研究生吳承坤，通信作者是田思聰研究員，研究得到了國家自然基金中德國際合作項目的資助(面向激光雷達的1250nm高亮度量子點激光器的研究，No. 62061136010)。
 

HiBBEE非均勻波導半導體激光器結構示意圖
 

HiBBEE非均勻波導半導體激光器亮度